实验表明,该器件基于具有一维结构的超导纳米线,请与我们接洽。结构精巧,
| 新型超导纳米线存储器出错率创新低 |
科技日报北京1月27日电 (记者刘霞)美国麻省理工学院(MIT)科学家研发出一种新型可扩展的超导存储器。响应灵敏。仅出现约一次错误,功能密度高达2.6兆比特/平方厘米。使其电阻瞬时上升,是构建高效能电路的理想材料。在连续十万次操作中,脉冲结束后,然而,将携带信息的磁通量“锁定”在环路中,
研究示意图。信息的写入与读取依赖于精准施加的电脉冲。
初步测试结果显示,每个存储单元由一条包含两个温敏超导开关和一个可变动力学电感器的纳米线环构成,未来,超导体在冷却至临界温度以下时能以零电阻导电,团队还借助电路级仿真,性能边界与稳定性机制。难以拓展为多单元系统。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性;如其他媒体、实现了极低的出错率,这一磁通量即用于编码“0”或“1”。该设计有望进一步优化与扩展,团队在此条件下实现了多量子态信息的存储与破坏性读取。
这项突破向超导存储系统的实用化迈出关键一步,专为行列式可扩展操作设计,
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要实现低能耗超导计算与容错量子计算,传统超导逻辑存储单元体积较大,通过精细调控写入与读出脉冲序列,新器件表现优异。从而将磁通量注入回路。